搜狐1 个月
2027年底，DRAM将实现令人期待的个位数纳米技术！
根据TechInsights最新发布的报告，预计到2027年底，DRAM市场将迎来其技术上 ... 为应对这一挑战，关键技术如3DDRAM架构、4F2垂直沟道晶体管(VCT)单元 ...
来自MSN7 个月
SK 海力士：计划开发新结构 DRAM
【8 月 13 日，SK 海力士计划开发 4F2 结构的 DRAM】 SK 海力士表示，自 1cDRAM 商业化以来，极紫外（EUV）工艺成本快速上升。其指出，现在是质疑使用 ...