在当前市场上，GaN HEMT技术正成为提高电子设备性能的关键因素。华通芯电的这一新产品不仅在国内市场上拥有良好的前景，还将直接影响国际市场的竞争格局。相比其他竞争对手的产品，华通芯电的增强型GaN HEMT器件在电流控制及散热管理上展现出更为先进的设计理念，优于现有同类产品。这一创新技术势必将改变整个半导体行业的生态，推动更广泛的应用落地。

近日，上海芯导电子科技股份有限公司申请了一项名为‘一种GaN HEMT器件及其制备方法’的专利，公开号为CN119698022A。这一技术突破解决了现有GaN HEMT器件阈值电压低、栅源电压承受能力弱以及栅极可靠性差的问题。这一创新不仅标志着半导体领域的技术进步，更预示着AI技术对职场的颠覆性冲击即将来临。 AI技术正在改变职场格局AI技术的快速发展正在重塑各行各业的工作方式。以GaN HEMT ...

英飞凌针对硅基MOSFET、SiC、GaN器件也有相似的对比图——且基于英飞凌目前在三个领域都涉足，就实际应用角度来看，英飞凌对这三者的划分可能也更有说服力，具体如下图： ...

在器件领域，EPC 的创新型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)设计具有多层和多厚度屏障。该设计从栅极到漏极逐渐增加二维电子气 (2DEG) 密度。with GaN transistors having different threshold voltages, including d-mode and e-mode devices for example.