氮化镓（GaN）材料因其禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿电场高、热导率高等优点，在高温、高压、大功率、微波器件等领域展现出巨大的发展潜力。近日，山东大学新一代半导体材料研究院崔鹏教授、韩吉胜教授团队研发出一种具有晶态氮化硅（SiN）帽层的新型Ga ...