然而，事情并非如此简单：为了在SiC制造领域站稳脚跟，就必须拥有专门用于SiC的昂贵设备。SiC晶圆的生长温度超过2700℃，生长速度至少比Si慢200倍，这就需要大量的能量。另一方面，GaN在很大程度上可以使用与Si半导体制程相同的设备，GaN外延 ...

GaN达到临界点的第二个应用是卫星电源。GaN不仅性能优于 MOSFET，而且几乎不会因为太空辐射影响而导致性能下降，帮助达到这一临界点的关键人物是VPT公司CEO兼创始人 Dan Sable。截至目前，GaN ...

芝能智芯出品随着功率器件需求在不同应用场景中的快速增长，单一材料的解决方案已经无法满足电压和电流范围的全面要求。基于此，复合材料与创新架构逐渐成为改善器件性能的关键手段，氮化镓（GaN）凭借高电子迁移率和开关速度的优势，在低功耗和部分高压应用中展现出 ...

欢迎来到科普中国特别推出的寒假精品栏目“给孩子的高新科技课”！ 人工智能作为当今最前沿的科技之一，正在以令人惊叹的速度改变着我们的生活。从智能语音助手到无人驾驶汽车，从 AI ...

金融界2025年1月31日报道，苏州华太电子技术股份有限公司近日在国家知识产权局申请了一项名为《一种GaN HEMT器件》的专利（公开号CN119384002A），标志着该公司在高电子迁移率晶体管（HEMT）领域的技术进步。本次专利申请于2024年12月提交，涉及一种新的GaN HEMT器件结构，可能为未来的半导体技术应用提供新的解决方案。

生成对抗网络（GAN）是一个很有意思的深度学习算法，被广泛应用在AI换脸、风格迁移等场景。 一、基本原理 生成对抗网络（GAN）的基本原理是通过 ...

2025 年了，GAN 能否击败扩散模型？答案是 Yes！ 本周五，AI 社区开始讨论一种全新极简主义 GAN（生成对抗网络）。 现代版 GAN 基准论文成为了周五 ...

2024年12月，苏州华太电子技术股份有限公司（简称“苏州华太”）申请了一项新专利，题为“一种GaN HEMT器件”，该专利在1月底正式公布，引起了半导体行业的广泛关注。这项技术的提出不仅展示了华太在氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）器件领域的创新能力，也为相关技术的发展注入了新的活力。 GaN HEMT器件的核心创新 根据专利摘要，华太的GaN HEMT器件采用了一种独特的结构设计， ...

2025年1月17日，金融界报道，北京北方华创微电子装备有限公司（下称“北方华创”）成功获得一项名为“GaN衬底的刻蚀方法”的专利，授权公告号为CN115376908B。这项专利的申请日期为2022年8月，标志着北方华创在第三代半导体材料领域取得的重 ...

GAN Ltd（纽约证券交易所代码：GAN）是一家注册在百慕大的公司，专门从事计算机编程和数据处理服务，市值为8500万美元，毛利率高达71%。该公司收到了纳斯达克证券交易所有限责任公司的通知，指出其违反了纳斯达克的上市规则。这份日期为2025年1月14日的通知表明，GAN Ltd未能在公司财年结束后的十二个月内召开年度股东大会。