英飞凌针对硅基MOSFET、SiC、GaN器件也有相似的对比图——且基于英飞凌目前在三个领域都涉足，就实际应用角度来看，英飞凌对这三者的划分可能也更有说服力，具体如下图： ...

前言2025年春季亚洲充电展于3月28日在深圳前海国际会议中心启幕，展会吸引了122家企业参展，覆盖电源芯片、功率器件、被动元件及工厂、品牌等快充产业全链路于一体。值得关注的是，本次参展企业中包含14家第三代半导体领域的技术领先企业。这些企业具备深厚 ...

支持高频工作的罗姆EcoGaN™和能够充分发挥其性能的控制IC相结合的解决方案，是实现节能和小型化的关键。为扩大该解决方案在实际应用，罗姆非常重视与广大企业的合作。在GaN的开发与量产方面，已与众多合作伙伴建立了多样化的合作关系。此次，通过与 ...

ISG612XTD SolidGaN IC采用TO-247-4L 封装，将具有短路保护的700V E型GaN FET、栅极驱动无缝集成，Rdson 范围为 22mΩ~59mΩ，适用于高功率密度和高效率的大功率应用。 据了解，以上配置使系统设计人员能够实现具有 Titanium Plus 效率的高频开关，功率密度比传统方案高2~3倍。

充电头网也汇总了近期全球氮化镓头部企业推出的各大新品——Power Integrations以1700V氮化镓开关IC突破电压瓶颈，纳微半导体开创双向功率芯片新纪元，英诺赛科则在热管理与系统集成领域树立新标杆。接下来充电头网将详细介绍一下这些新品。

Navitas Semiconductor是一家纯粹的第三代功率半导体公司，专注于氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术。 2024年全年收入达到8330万美元，同比增长5% ...

可提供GaN on Sap D-mode、GaN on Si E-mode的 GaN FET 及 GaN IC ，是台湾市场唯一能全面供应此类多元产品的公司。 以上为 GaNrich 650V GaN FET产品列表，支持45 ...

盖世汽车讯 据外媒报道，马自达汽车公司（Mazda Motor Corporation）与罗姆株式会社（ROHM）宣布已开始联合开发使用氮化镓（GaN）功率半导体的汽车零部件，其中氮化镓功率半导体有望成为下一代半导体。

图示1-大联大友尚基于Diodes产品的140W PD3.1 GaN充电器方案的展示板图 如今，智能设备的高功率快充技术已成为消费者普遍关注的焦点。在此背景下 ...