该驱动芯片用于驱动半桥、全桥、同步降压、同步升压、推挽、双开关前馈和有源钳位前馈转换器中的N-Channel MOSFET, 高低侧各自拥有独立的输入, 提供最大的输入控制信号灵活性 -支持高达120V DC的自举供电电压和1MHz的开关频率, 适用于高频率应用。输入引脚可 ...

选N沟道MOSFET？还是选P沟道MOSFET？ 封装如何选：不同封装尺寸有不同的热阻和耗散功率。 参数如何匹配：耐压BVDSS、Id电流、栅极阈值电压Vth、导通 ...

NCEP18N10AR采用Super Trench II技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于RDS（ON）和Qg的极低组合，导通和开关功率损耗都得以最小 ...

日前，威世科技宣布，推出采用PowerPAK® 10x12封装的新型40 V TrenchFET® 四代n沟道功率MOSFET---SiJK140E，该器件拥有优异的导通电阻，能够为工业应用提供 ...