郇宇教授的研究团队在其最新发布的论文中，采用了SiC作为掺杂剂，以优化BCTZ陶瓷的性能。他们发现，SiC具备优异的导热性，可以促进陶瓷烧结过程中的热量传导，从而降低BCTZ陶瓷的烧结温度至1380°C。研究还表明，在高温过程中部分Si离子会扩散进BCTZ的晶格，导致晶体结构的轻微变化，进而增强陶瓷的压电响应。