芝能智芯出品英飞凌发布AI数据中心电源装置（PSU）与电池备份单元（BBU）产品路线图，涵盖3kW至全球首款12kW PSU及4kW至12kW ...

随着功率半导体的性能和耐压不断提升，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等下一代功率半导体材料越来越受到关注。二氧化锗（ GeO 2）有望成为继SiC、GaN之后的下一代功率半导体材料。据称， GeO2功率器件能够将功率损耗降低至硅 (Si) ...

在全球持续面临气候变化和环境可持续发展挑战之际，英飞凌科技股份公司一直站在创新前沿，利用包括硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN ...

香港科技大学电子与计算机工程系陈敬教授课题组，在第70届国际电子器件大会（IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2024）上报告了多项基于宽禁带半导体氮化镓，碳化硅的最新研究进展。研究成果覆盖功率器件技术和新型器件技术： 高速且具备优越开关速度 ...

与硅器件相比，碳化硅Cascode JFET具备多项优势。碳化硅作为宽禁带材料，具有更高的击穿电压特性，这意味着其器件可采用更薄的结构支持更高的电压。此外，碳化硅相较于硅的其他优势还包括： ...

我认为，未来发展方向主要为： 1.尺寸升级与成本优化：国内企业引领8英寸SiC材料与晶圆产业化，推动从6英寸向8英寸升级，降低成本，天岳先进等已研制出12英寸碳化硅衬底。GaN同样依托8英寸产线提升相对于传统Si器件的性能、可靠性和成本竞争力。 2.应用 ...

在Si衬底上加工GaN HEMT（GaN on Si HEMT），使用高度绝缘的载体衬底，如蓝宝石、SiC或GaN（GaN on-insulator HEMT）以及开发垂直GaN技术。 高压用GaN-on-Si 所有 ...