第二代 CoolSiC MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬电距离
采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代 CoolSiC ™ MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。