值得一提的是，本次镓仁半导体采用了细籽晶诱导+锥面放肩技术来生长4英寸氧化镓单晶，相较于无籽晶自发成核和等径籽晶技术，更容易确保晶体质量。其中，籽晶与晶体轴向平行于 [010]晶向，可加工4英寸 (010)面衬底。