近日，澳大利亚悉尼的激光公司BluGlass展示了其单模氮化镓（GaN）激光器的惊人成果：单个激光芯片成功实现1250mW的功率输出，且同时维持单空间模式。这一成果不仅创下了商业领域与学术界的公开纪录，更标志着激光技术在可见光领域的重大突破。

近日，国家知识产权局公布了一项重要专利信息，纳维达斯半导体有限公司成功获批名为“GaN逻辑电路”的专利，授权公告号为CN111800123B，申请日期为2020年4月。这一消息在半导体行业引发了广泛关注，标志着我国在GaN（氮化镓）技术领域取得重要进 ...

GaN 器件将低损耗开关性能和高速完美结合，是能够在兆赫兹地区实现超高带宽的新兴开关电源。这些类型的电源可以提高整体效率，从而为射频基站功率放大器以及相控阵雷达的发射/接收 （T/R） 模块等应用提供快速瞬态响应。

（本文编译自electronicdesign）氮化镓（GaN）功率器件正逐渐成为LiDAR传感器的核心模块之一，这得益于其具有超快的开关速度和较低的寄生效应。这些特性使得氮化镓功率器件能够在高总线电压和窄脉冲宽度的情况下实现高峰值电流。为了迎接自动驾驶汽车的未来，汽车系统中必须采用更先进的传感器。在用于检测自动驾驶汽车周围 ...

前言在全球能源转型与绿色制造浪潮的推动下，氮化镓功率组件凭借其高频、高效、低损耗的特性，成为替代传统硅基器件的热门选择。然而，现有GaN组件受限于水平结构设计，难以实现与传统硅基或碳化硅组件相同的封装兼容性，导致系统升级成本高、设计复杂。台湾嘉和半导 ...