ICP蚀刻利用高频电磁场在反应室内产生高密度等离子体，通过调整工艺参数（如ICP线圈功率、压板功率、工作压力等）来控制离子的能量和方向性，从而实现对碳化硅材料的高效蚀刻。与常规平行板反应离子蚀刻相比，ICP蚀刻具有更高的离子通量和更灵活的工艺参数调整 ...