当然了也可以用其他厂家的NAND进行替换，如镁光、三星等，1G-8G bit满足日常项目的存储需求。再大一点的存储需求可以考虑SD卡，或者速度更快的EMMC，容量小的存储需求可考虑NOR Flash，如W25Q128、W25Q256等，数据更可靠。两者之间的区别不再赘述。 不得不说EDA软件 ...

研究人员发现了一种更快、更高效的 3D NAND 闪存深孔蚀刻方法，即使用先进的等离子工艺。通过调整化学工艺，他们使蚀刻速度翻倍，精度也得到提高，为实现更密集、更高容量的内存存储奠定了基础。 为了改进数据存储，研究人员正在完善三维 NAND 闪存 ...

在科技领域的最新进展中，3D NAND闪存技术因其存储单元堆叠的独特设计而备受瞩目，这一设计策略不仅显著提升了存储密度与容量，还有效降低了生产成本。近日，一项创新蚀刻工艺的问世，为3D NAND闪存技术的进一步突破带来了希望。 这项新工艺由Lam Research ...

IT之家1 月 31 日消息，据外媒 Tom's shardware 报道，长江存储目前已开始出货第五代 3D TLC NAND 闪存，共有 294 层，以及 232 个有源层。 外媒认为长江存储在其闪存中使用了晶栈 4.0（IT之家注：Xtacking 4.0）架构，利用混合键合技术将闪存阵列与 CMOS 逻辑和接口连接起来 ...

2025年01月29日 18:26中关村在线 ...

快科技2月5日消息，3D NAND闪存的设计和制造非常依赖存储单元堆叠，由此可以大幅增加存储密度与容量，降低成本。 最近，来自Lam Research、科罗拉多 ...