Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron * Qg等。 （2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内；SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内；SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V； 在开关电源中，如漏极开路电路，漏极原封不动 ...