在 开关模式电源 中使用 GaN 开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况，提到了所面临的挑战，并展望了 GaN 作为硅的替代方案在 开关模式电源 中的未来前景。 本文引用地址： ...

Mitsubishi Electric announced that it will begin shipping samples of a new 16W-average-power gallium nitride (GaN) power ...

Thanks to a combination of high-speed and low-loss switching, GaN high electron mobility transistors are able to excel in ...

致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于达尔科技（Diodes）AP3306、APR3401和AP43771H控制器的140W PD3.1 GaN充电器方案。

After hours: March 14 at 6:30:32 PM EDT Loading Chart for GAN ...

Mitsubishi has launched a 16W GaN power amplifier module for 5G massive MIMO base stations. Takeaway Points Mitsubishi has ...

More government money is being pumped into helping mid-career workers upskill - with increased grants and allowances. But how ...

近日，澳大利亚悉尼的激光公司BluGlass展示了其单模氮化镓（GaN）激光器的惊人成果：单个激光芯片成功实现1250mW的功率输出，且同时维持单空间模式。这一成果不仅创下了商业领域与学术界的公开纪录，更标志着激光技术在可见光领域的重大突破。

A 650-V bi-directional GaN IC combined with a high-speed isolated gate driver facilitates this single-stage power conversion.

Nicson Yap and Ray Shaman bag several awards at the World Youth STEM Invention Innovation 2025 competition in Indonesia.

3月18日，"全国学会服务国家战略专项——宽禁带半导体GaN材料与芯片领域创新资源图谱"项目启动会成功在线召开。此次会议由中国有色金属学会牵头，全体会议发言者包括备受瞩目的华南理工大学教授李国强、广东省科学院半导体研究所所长陈志涛及其他众多来自高校与企业的专家，共计近30名业内人士出席。