3月4日,由增城区卫生健康局主办、广州医科大学附属妇女儿童医疗中心承办、各镇街卫生院/社区卫生服务中心协办的“关注女性健康、关注‘两癌’防治”暨科普大讲堂·女性健康义诊在广州医科大学附属妇女儿童医疗中心增城院区举办。今年我区继续为35—64周岁常住女 ...
在刚刚落幕的国际固态电路会议(ISSCC)上,三星科技展现了一项震撼业界的技术突破——LPDDR5-Ultra-Pro DRAM。这款基于LPDDR5规范的芯片,不仅采用了三星先进的五代10nm级DRAM工艺,而且以仅1.05V的电压便实现了惊人的12700 MT/s的数据传输速率,成功打破了LPDDR5X所保持的记录!
在ISSCC 2025国际固态电路研讨会上,三星公司宣布了一项重大突破,成功将LPDDR5X内存的速率从现有的10.7Gbps提升到了12.7Gbps,这一成就再次刷新了移动内存领域的性能纪录。
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近日,三星在国际固态电路大会(ISSCC)上宣布了一项令人瞩目的技术突破,其LPDDR5X内存速率成功跃升至12.7Gbps,这一成就再次树立了移动内存性能的新标杆。 三星此次能够取得如此显著的进步,得益于两项创新的电路级技术:“四相自校准环路”技术和“AC耦合收发器均衡技术”。这两项技术的结合,为下一代移动设备提供了前所未有的内存支持。
这款新型DRAM芯片采用了其第五代10nm级工艺,只需1.05V的电压,即可实现惊人的12700 MT/s数据传输速率,成功超越了LPDDR5X的纪录,正如一位科技运动员 ...
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三星此次推出的LPDDR5-Ultra-Pro DRAM芯片, 在1.05伏电压下即可实现12700 MT/s的超高传输速率,即使在0.9伏的低电压下也能稳定运行在10700 MT/s。 这得益于 ...
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