全球半导体巨头英飞凌近期宣布，在碳化硅（SiC）技术领域取得了重要突破，成功推出了首批采用8英寸晶圆工艺制造的SiC产品。这些产品将在奥地利的菲拉赫工厂生产，专为可再生能源、火车及电动汽车等高压应用提供先进的SiC功率技术。

新华社上海2月2日电（记者张建松、张泉）以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料有望牵引 ...

此外，SiC MOSFET无IGBT的“尾电流”现象，开关过程更稳定，减少了因电压尖峰和电磁干扰引发的故障风险，提升系统可靠性。 中国“十四五”规划将碳化硅列为重点攻关方向，国产厂商如BASiC基本股份、国基南方等已突破6英寸SiC MOSFET量产技术，并推出适配高压 ...

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