在SiC衬底的传统加工流程中，主要使用多线切割工艺。这一工艺在6英寸和8英寸的SiC晶锭切割过程中，单片材料的损失高达280～300μm。以6英寸SiC晶锭为例，切割时间长达130小时，8英寸SiC晶锭的切割时间更是达到180小时，这导致每颗SiC晶锭的材料损失率接近46%。

2018年：英飞凌收购SILTECTRA GmbH，获得Cold Split技术，显著提升了SiC晶锭切割效率，减少了材料损耗。 2020年：菲拉赫工厂开始大规模生产SiC功率器件 ...

g8pesmc 其中郑州新密市半导体先进制造业产业园项目总投资额约150亿元，主要聚焦第三代半导体材料碳化硅和基于碳化硅材料的功率芯片，构建从纯化多晶硅、晶锭制造、衬底片制造 ... 厦门士兰集宏半导体有限公司8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目（一期 ...

本报讯（记者余秋兰 通讯员杨巧如 吴文德）2月18日，邕宁区举行2025年一季度南宁市重大项目集中开（竣）工暨南宁产投铝基新材料集团有限责任 ...

近期，上海（含上海临港）、河南、河北、福建、海南五地纷纷披露了2025年重大项目清单，据全球半导体观察不完全统计，上述五地披露半导体、AI等领域相关项目近90个，涵盖了芯片制造、IC设计、半导体材料、封装测试、第三代半导体功率器件及衬底材料等多 ...

不过，IPO（首次公开募股）前夕，2024年11月，天域半导体的股东南通招商江海产业发展基金合伙企业（有限合伙）（以下简称招商江海）及南通招华招证股权投资合伙企业（有限合伙）（以下简称招华招证）对外转让了所持有的天域半导体股份。

由于光伏行业形势波动，募投项目进展也被一再放缓。晶盛机电IPO最大单一募投项目“年产300台多晶铸锭炉扩建项目”预定可使用状态日期为2014年6月30日。但截至2014年末，投资进度仅为9.06%，“项目到达预定可使用状态日期”也变为2016年6月30日。 据晶盛机电在 ...