第10代V-NAND闪存的核心特性围绕着其卓越的层数和接口速度展开。这款1Tb的TLC闪存器件，其总层数超过了400层，预期达到420层至430层，形成了前所未有的有源层数记录。接口速度依然高达5.6Gbps，大约相当于700MB/s，这样的性能不仅意味着更快的数据传输速率，也极大地提升了存储设备的整体效率。根据三星的介绍，这一新型闪存的位密度超过了28Gb/mm²，几乎与其自家的1Tb 3D ...

在刚刚落幕的ISSCC 2025大会上，科技巨头三星带来了震撼的发布消息——第10代V-NAND闪存即将面世，创下了众多记录！这款新闪存不仅将有源层数推向了前所未有的高度，预计达到420层至430层，更是搭载了COP（Cell-on-Periphery）结构与先进的混合键合技术。

据TomsHardware报道，三星在最近的ISSCC 2025上展示了即将发布第10代V-NAND闪存，不仅拥有创纪录的有源层数和突破性的性能，而且还首次将COP（Cell-on ...

改用混合键合技术后，消除了对凸块的需求，缩短了电路，从而提高了性能和散热性。 三星的目标是在2025年下半年开始量产第10代V-NAND闪存，预计总层数达到420层至430层。此外，传闻SK海力士也正在与长江存储进行专利协议的谈判。据了解，目前Xperi、长江存储 ...

三星的目标是在2025年下半年开始量产第10代V-NAND闪存，预计总层数达到420层至430层。此外，传闻SK海力士也正在与长江存储进行专利协议的谈判。

（全球 TMT2024 年 9 月 12 日讯）三星电子 9 月 12 日宣布，首款 1 太比特 ( Tb ) 四层单元 ( QLC ) 第九代 V-NAND 已正式开始量产。今年四月，三星启动了其 ...

据TrendForce报道，三星计划升级西安工厂的生产线，过渡到286层第9代V-NAND闪存。这一努力旨在抵消持续市场需求下滑的影响，另外也是为了提升产品 ...

报道称，三星的第10代V-NAND保持了TLC（三级单元，或每个单元 3 位）架构，每个芯片的容量为1Tb（128 GB）。三星声称其新的超400层 3D TLC NAND Flash的 ...

近日有消息传出，三星与长江存储就3D NAND混合键合技术达成了专利许可协议。根据协议内容，从第十代V-NAND（V10）开始，三星将采用长江存储的专利技术，尤其是在“混合键合”技术领域展开合作。 据悉，三星计划于2025年下半年开始量产下一代V10 NAND产品 ...

快科技2月24日消息，据韩国媒体报道， 三星近日与长江存储签署了3d nand混合键合专利许可协议，从第10代v-nand（v10）开始，将使用长江存储的专利 ...